miil5.jpg

 

Некоторые комментарии к событиям, характеризующим  прогресс LENR – технологий  в хронологическом порядке.

 

24.9.13.

Патентное ведомство США выдала патент на LENR-устройство швейцарской компании ST Microelectronics, текст патента здесь:
http://www.google.com/patents/US20130243143

 

Дата приоритета     24 фев 2012

Заявлен                    25 фев 2013

Дата публикации    19 сен. 2013

 

ST Microelectronics является крупным производителем полупроводниковых компонентов с доходом более $ 8 млрд в 2012 году. В компании занято 48 000 сотрудников (11 500 работают в сфере  R & D  - научно-исследовательские и опытно-конструкторские разработки: НИОКР; англ. Research and Development). Интерес этой фирмы к области LENR – технологий свидетельствует о том, что ведущие ученые и исследователи в настоящее время принимают LENR серьезно, как жизнеспособный источник энергии. Один из авторов патента Ubaldo Mastromatteo, штатный сотрудник миланского отделения фирмы STM (U. Mastromatteo STMicroelectonics SpA, Via Tolomeo 1, 20010 Cornaredo, Milan, Italy) занимался этой тематикой задолго до первых сообщений А. Росси. Так, совместная  с  Ф.Челани, физиком национального института ядерной физики в Риме (Istituto Nazionale di Fisica Nucleare   Laboratori Nazionali di Frascati   сайт лаборатории http://www.lnf.infn.it/) статья опубликована в 2008 году.

Deuteron Electromigration in Thin PdWires CoatedWith Nano-Particles: Evidence for Ultra-Fast Deuterium Loading and Anomalous, Large Thermal Effects

Патент заявляет, что реакция с выделением тепла происходит как следствие абсорбции водорода на поверхности активного металлического материала ( в качечстве такого материала предполагаются Ni, Pd, Pt, W, Ti, Fe, Co а также их сплавы), даются варианты реализации устройства, построенного на этом эффекте с использованием механизма контроля реакции.

26.09..13

Патент фирмы ST Microelectronics на способ – устройство для получения LENR –энергии имеет нереально широкий спектр заявления, однако приведенный в материале заявки пример конкретной реализации устройства весьма убедителен. В этом устройстве много нового, например, оригинальный тепловой порт снимает пресловутую проблему «COP»-а, - затраты тепла на «технологический» прогрев препарата очень незначительны. На этом этапе тепловой порт закрывает отток тепла в сторону потребителя и приходится разогревать только конструкции малой теплоемкости. Способ извлечения LENR –энергии вполне коррелирует с процессами в реакторах Росси и устройствах компании Defkalion  Technologies Corporation. Рассмотрим устройство компании STM более подробно.

Рисунок здесь:
http://rulev-igor.net/theme_143_1/image002.jpg

 

1- Устройство в целом.   2- LENR – реактор.  3- Реакторная камера.  4- Внешняя камера. 5- Дно камеры.  6-  Корпус реакторной камеры.  6а- Сильфон. 7- Нижняя матрица.  8- Верхняя матрица. 9- Водород.  10- Активный материал (на нижней матрице 7). 11- Клеммы. 12- Модуль управления. 13, 13б – Рычаги привода регулирования зазора между матрицами. 14- Двигатель.  15- Кабели. 16б- Основание. 16- Тепловой порт. 17- Корпус внешней камеры. 17а- Малый сильфон.  18- Большой сильфон.  19- Инициирующие электроды – нити. 20- Датчик регистрации инициирующих излучений.  21- Катушка для генерирования электромагнитного поля. 22, 23, 24- Вводы – изоляторы. 25- Трубка для подачи водорода. 26- Регулирующий клапан. 27- Вводы – изоляторы. 28- Рычаги привода регулирования зазора теплового порта.  29- Двигатель. 30- Патрубок для откачки воздуха из внешней камеры. 31- Регулирующий клапан.    50- Зазор, регулирующий тепловое сопротивление теплового порта (вакуум во внешней камере).

Матрица 7, расположенная в реакторной камере 3, несет активный материал, например,  никель или палладий. Слой металла толщиной 250 нм нанесен на подложку из монокристаллического кремния методом напыления в вакууме по шаблону. Над ней находится матрица 8, выполненная также из кремния, защищенного слоем  оксида. На пластине также по технологии изготовления микросхем выполнен нагреватель, он же выполняет функцию датчика температуры. Расстояние между матрицами может изменяться по командам модуля управления 12 с помощью привода 13 через сильфоны 6а и 17а. Для разогрева активного материала матрицы сближаются, в рабочем состоянии пластина 8 поднята. Тепло LENR –реакции выделяется на поверхности матрацы 7 и отводится через тонкую кремниевую пластинку и дно камеры 5, выполненное из меди в массивный фланец 16 и далее в полезную нагрузку. При этом зазор 50 равен нулю, - тепловое сопротивление теплового порта минимально. В режиме технологического прогрева автоматика через привод 28 благодаря сильфону 18 приподнимает камеры 3 и 4 над пластиной 16б, зазор 50 увеличивается и источник тепла расцепляется с нагрузкой. Для уменьшения тепловых потерь и увеличения эффективности работы теплового порта во внешней камере поддерживается вакуум, а внутренние поверхности реакторной камеры выполнены из полированной нержавеющей стали. Реакторная камера заполнена водородом. После разогрева активного материала до требуемой температуры и насыщения металла водородом матрицы разводятся и подается напряжение на инициирующие электроды 19, -вольфрамовые нити с покрытием из щелочноземельных металлов, облегчающих эмиссию электронов с поверхности. Кроме того, имеется катушка 21, импульсы тока через которую позволяют осуществлять дополнительное воздействие на зарядовые кластеры, перемещающиеся вдоль матрицы 7 под действием поля от электродов 19. По тексту заявки температуре на выходе теплового порта не менее 500 градусов Цельсия, что позволяет реализовать преобразование тепловой энергии в электрическую с. неплохим КПД.

1.10.13

Из рассмотрения материалов патента  компании ST Microelectronics, можно сделать  такие выводы.

  1. Патенты LENR-тематики патентным ведомством США в настоящее время  не отрицаются, как антинаучные и проходят достаточно быстро (заявлен 25 фев 2013, дата публикации 19 сен 2013, приоритет 24 фев 2012), достаточно соблюдать формальные требования по оформлению материалов.
  2. Вопроса о предъявлении действующего макета не стоит, и  доказывать работоспособность способа  и устройства не требуется.
  3. Патентоведы компании, оформляя заявку на «способ и устройство для его реализации» постарались по возможности широко трактовать заявляемый предмет, так, что под описание может попасть и реактор Росси. Например:

 

[i] In the reactor according to an embodiment, the means for triggering the low-temperature nuclear reaction are, for example, chosen from the group including:

*          means for creating a thermal shock in the active material, in particular by means of the hydrogen flow, maintained at a predetermined temperature lower than the temperature of the reactive material;

*          means for impulsively applying a packet of electromagnetic fields, in particular, chosen among a radiofrequency pulse of a frequency higher than approximately 1 kHz;

*          means for creating a pulsive electric current through an electrostrictive portion of said reactive material;

*          means for impulsively applying a beam of elemental particles, in particular electrons;

*          means for applying an impulsive magnetic field along said reactive material having a magnetostrictive portion,

*          and their combinations.[/i]

 

  1. Такая  крупная компания, как ST Microelectronics (48 000 сотрудников,  доход более $ 8 млрд в 2012 году) не станет впустую заявлять за собой область интеллектуальной собственности, если у нее нет там серьезных наработок.
  2. Из текста заявки  просматривается специфический подход к проблеме, связанный с технологическим профилем компании. Речь идет о миниатюрных изделиях, о чипах с активным материалом (никель, палладий), нагревателями, датчиками температуры и прочими элементами автоматики, выполненными на кремнии средствами полупроводниковой технологии.
  3. Такие работы обещают в будущем появление на рынке таких неожиданных устройств, как одноразовые чипы – источники электроэнергии, которые позволят встраивать их в электронную аппаратуру, делая ее автономной от внешнего энергообеспечения на длительное время.

 

10.10.13

 Таким образом, появился новый серьезный претендент на коммерческую реализацию нового энергетического направления - фирма ST Microelectronics.  LENR проявления неоднозначны, наиболее удобно проводить параллель этого устройства с аппаратом компании Defkalion  Technologies Corporation,

В обоих случаях работают так называемые «зарядовые кластеры». Это особая форма плазменного разряда в газовой среде, она возникает при подаче коротких высоковольтных импульсов на электрод с небольшим радиусом закругления (электрод – острие). Этим явлением много и подробно занимался американский исследователь Кен Шоулдерс . ( список его работ здесь  )  http://www.svn.net/krscfs/

 

 

Картинка   http://rulev-igor.net/theme_143_1/clip_image002.gif

В устройстве Defkalion «острийные» электроды из вольфрама расположены по оси трубчатого контейнера, который заполнен мелкими  (размер 200нм) газопроницаемыми структурными ячейками, построенными из  ZnO, MgO, ZrO2 и включающие в себя отдельные зерна наноникеля. Зарядовые кластеры возбуждаются подачей импульсного напряжения на электроды и движутся в среде водорода по полю сквозь субстрат. При разрушении кластера на зернах никеля наблюдается трансмутация  вещества, сопровождающаяся выделением энергии. Тепло отводится на стенки трубки за счет высокой теплопроводности водорода.

В STM устройстве вместо заостренных вольфрамовых стержней, которые у  Defkalion_а подвергаются эрозии, используются пучки вольфрамовых нитей, покрытых щелочноземельным металлом. Зарядовые кластеры дрейфуют вдоль нижней матрицы и взаимодействуют с  нанесенным на ее поверхность активным материалом. Вместо объемной структуры в предыдущем варианте,  металл (никель, палладий, или др. металл из приведенного списка) наносится на поверхность монокремниевой пластины, покрытой тонкой пленкой окиси кремния, в виде регулярной сетки (отдельные изолированные площадки толщиной 150 нм). После предварительной термообработки активный металл перекристаллизируется на матрице в виде изолированных «гроздей» из нанозерен. На поведение дрейфующих по полю зарядовых кластеров можно влиять с помощью специальной катушки 21. Импульсы тока через эту катушку, по-видимому, «стимулируют» кластеры к более активному взаимодействию с подложкой. Теплоотвод более эффективен, чем у Defkalion_а, он  осуществляется через оригинальный тепловой порт.

Почему я уделяю много внимания на конкретные детали устройств. Вообще фирма, пытающаяся создать коммерческий продукт, тщательно скрывает свои технологические находки (например, даже представленный к ICCF-18 Conference пресс-релиз

http://aromapress.com/~defkalio/wp-content/uploads/2013/01/2012-08-08_NIWeek_-Defkalion-Technical-presentation_-J-Hadjichristos.pdf  уже закрыт) . Успех дела лежит как раз в плоскости конструкторско – технологической, аспекты физические, теоретические уходят на задний план, на них коммерческая фирма деньги не тратит. Есть работающий эффект, - ищут пути его наиболее эффективного использования и «столбят» конкретику в патентах. Теперь мы видим, что патенты LENR-тематики патентным ведомством США не отрицаются, как антинаучные и проходят достаточно быстро (заявлен 25 фев 2013, дата публикации 19 сен 2013, приоритет 24 фев 2012), достаточно соблюдать формальные требования по оформлению материалов. Это первый «антинаучный» американский патент, теперь они пойдут лавиной.

 

 

 

 

 

 

 

 [Home]     [ Glav]